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삼성전자, 세계 최대 규모의 메모리 16라인 가동

 안녕하세요, ‘삼성이야기’입니다.

삼성전자, 세계 최대 규모 메모리 16라인 가동
세계 최초로 20나노급 D램도 양산 시작


삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔습니다. 또 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작합니다.

삼성전자는 22일 목요일에 나노시티 화성캠퍼스에서메모리 16라인 가동식 및 20나노 D·플래시 양산행사를 개최했으며, 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석했습니다.

또한 마이크로소프트 스티브 발머 CEO, HTC 셰어 왕 회장, DELL 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 16라인을 가동, 업계 최초로 20나노급 D램을 양산하게 된 것을 축하하는 영상 메시지를 보내오기도 했습니다.

 
[임직원 대표들로부터 16라인에서 생산된 '1호 반도체 웨이퍼'를 전달받는 이건희 회장]

이 날 행사에서 최초로 생산된 반도체 웨이퍼를 전달받은 이건희 회장은 “반도체 업계에 몰아 치는 거센 파도 속에서도 메모리 16라인의 성공적 가동과 세계 최초의 20나노급 D램 양산 성공을 위해 혼신의 힘을 기울인 임직원들에게 감사의 뜻을 전한다”고 밝혔습니다.
 
이 회장은 또 “많은 직원들의 노력으로 기술 리더십을 지킬 수 있었지만, 앞으로 더욱 거세질 반도체 업계발(發) 태풍에도 대비해야 한다”고 말했습니다.

 
[이번 20나노 D램, 플래시 양산에 기여한 임직원들과 오찬을 함께 하고 있는 이건희 회장]

지난 해 5월에 착공해 1 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인입니다.

올해 2월 건물을 완공하고 5월 클린룸 공사를 마쳤고 이번 달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작하게 되었습니다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획입니다. 또한 최첨단 공정을 갖춘 16라인의 가동으로 고객에 다양한 제품을 안정적으로 공급할 수 있게 됨으로써 반도체 선두업체로서 더욱 차별화된 경쟁력을 강화할 수 있게 되었습니다.  

이번 16라인 가동과 함께 삼성전자는 세계 최초로 20나노급 2Gb D램의 양산도 시작합니다.

20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품입니다. 올해 말에는 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB8GB16GB32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획입니다.

한편, 이건희 회장은 지난해 5월 경영 복귀 후 이 날 가동식을 가지는 반도체 16라인 기공식 현장을  방문지로 삼은 데 이어, 가동식까지 참석하여 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 드러냈습니다.


 

['메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산' 행사에서 임직원들을 격려하며 악수를 하는 이건희 회장]

이 회장은 지난해 5월17일 메모리 16라인 기공식에 참석해 “지금 세계 경제가 불확실하고 경영 여건의 변화도 심할 것으로 예상되지만, 이러한 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 더 많이 뽑아서 글로벌 사업기회를 선점해야 삼성에도 기회가 오고 우리 나라 경제가 성장하는데도 도움이 될 것”이라고 말했습니다.
 
이 회장은 또한 지난 8월11일 반도체 사장단과의 오찬에서 “D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다”고 강조한 바 있습니다.

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